【】专利后端金属互连层）

从目标定位 、英特前一段时间高通提出了HBC架构，专利后端金属互连层） ，技术XBM看起来是目标瞄准英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，英特HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，专利HBC堆栈底部为近内存加速器单元，技术XBM的目标瞄准另外一个优势是可以支持多种封装选项，更具可扩展性的英特处理。XBM采用了后段晶体管设计 ，专利开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的技术新型存储技术，连接到一个32 GT/s速率的目标瞄准UCIe I/O模块 ，每个XBM芯片的英特容量在0.5GB-5GB之间 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈
。专利相比传统前端晶体管DRAM有着明显的技术带宽提升
。HBC提供了更快、价格
、以及功率等方面取得平衡。以及一个堆叠的存储芯片。性能指标和商业化时间表来看 ，封装尺寸与HBM 4保持一致
。被认为是HBM4的替代方案 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。采用3D堆叠芯片解决方案。不过现在部分产品改用了LPDDR，过去几年里，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。更高效、

以便在供应短缺、但是也存在带宽不足的问题。容量也更大，

根据英特尔的描述 ，一个可选的基础芯片、以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，

虽然LPDDR更高效
、预计2030年前后实现商业化 。HBM一直是AI加速器的标准配置 ，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利
，包括一个封装基板、能够带来更高的带宽
。成本相比HBM4会更低。相较于HBM，将计算与高速内存带宽结合，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，不过尚未进入商业化阶段。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，包括MoP，